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F-JTDG1110晶體的電光效應

F-JTDG1110晶體的電光效應
  • 觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。
  • 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態,理解泡克耳斯效應的作用機理。     
  • 測量半波電壓,確定Δn與E的線性關系,繪出光的調制曲線。
  • 用正弦電信號對晶體進行調制,實現電信號的光傳輸,理解工作點對調制、傳輸過程的影響。
  • 外加音頻信號,實驗音頻信號的光傳輸以重現,了解光通訊中信號外調制的原理和方法。
  • 光學實驗導軌:800mm。
  • 實驗主機最大驅動電壓:Vmax≥1600V
  • 半導體激光器:650nm, 4mW。
  • LN晶體附件:三維可調,通光面積:5*5mm2。
  • 二維可調光電二極管探頭:調整范圍:±2.5mm.
  • 二維可調擴束鏡:25倍,調制范圍:±2.5mm.
  • 激光功率指示計:三位半數字表頭,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可調檔。最小分辨率0.1u W。
  • 采用半導體激光器作為光源(650nm4mW)。
  • 晶體的通光面積為5×5mm2
  • 最大驅動電壓Vmax≥1600V使現象更加清晰、完整。
  • 可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。
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